|
|
עמוד:66
4 . 3 המבנה ועקרון הפעולה של טרנזיסטור טרנזיסטור צומת דו-נושאי בנוי כמעין " כריך " תלת-שכבתי של מוליך למחצה . מוליך למחצה הוא חומר שיש בו מספר רב של מטענים חשמליים חופשיים , אך המספר הזה קטן בהרבה מזה הקיים במוליכים , כגון מתכות . דוגמה נפוצה לחומר מוליך למחצה הוא הצורן . ( Silicon ) קיימים שני סוגים של טרנזיסטורים דו-נושאיים , כמתואר באיור . 4 . 4 תיאור השכבות באיור 4 . 4 הוא סכמתי בלבד . במציאות המבנה מורכב יותר . טרנזיסטור מסוג npn בנוי משכבת מוליך למחצה דקה מאוד מסוג – p שבו המטענים החופשיים חיוביים , ( P – Positive ) הנתונה בין שתי שכבות עבות מסוג , n שבו המטענים החופשיים שליליים . ( N – Negataive ) טרנזיסטור מסוג pnp בנוי משכבה דקה מסוג , n הנתונה בין שתי שכבות עבות מסוג . p שכבת הביניים הדקה מכונה בסיס , ( base ) ושתי השכבות יכול להיות הגבר מתח , זרם , הספק , או שילוב שלהם . בתור רכיב הגברה , הטרנזיסטור מהווה בסיס לרוב המעגלים האלקטרוניים האנלוגיים המודרניים . שימוש חשוב לא פחות של הטרנזיסטור הוא למיתוג אלקטרוני . בתנאים מסוימים ניתן להשתמש בטרנזיסטור כדי לשנות את אות המוצא ( זרם ו / או מתח ) בין שני מצבים קיצוניים , " נמוך " ו " גבוה . " לשם המחשה , באיור 4 . 3 ב מתואר מיתוג זרם בין אפס ( הטרנזיסטור לא מעביר זרם ) לערך גבוה I ( הטרנזיסטור מעביר זרם , ( על-פי מצב מבוא הבקרה . בתור רכיב מיתוג , הטרנזיסטור ( לסוגיו השונים ) מהווה בסיס לכל המעגלים האלקטרוניים הספרתיים , וכן למעגלי בקרה רבים . קיימים שני סוגים עיקריים של טרנזיסטור : " טרנזיסטור צומת דו-נושאי , Junction Transistor Bipolar ) שנקרא לו להלן , בקיצור , טרנזיסטור ) וטרנזיסטור תוצא השדה ( טת " ש . ( Field Effect Transistor – FET לשני סוגי הטרנזיסטורים יש כיום שימושים רבים . עם זאת , הטרנזיסטור הדו-נושאי הומצא שלוש שנים לפני טרנזיסטור תוצא השדה , ואולי משום כך הכינוי המקוצר " טרנזיסטור " מתייחס ברוב המקרים לסוג זה . בפרק זה נעסוק בטרנזיסטור הצומת הדו-נושאי .
|
|