|
|
עמוד:308
נתבונן למשל במצב שבו . Q = 1 במקרה כזה המתח בבסיסו של T ( המחובר לקולט של T 1 2 דרך הנגד , ( R 2 יכניס את T לרוויה . הרוויה של T תגרום לקולט שלו להימצא ב . ' 0 ' - 2 2 B החיבור שבין הקולט של T לבסיסו של T ( דרך הנגד ( R 1 גורם ל- T להיות בקיטעון , 1 B 1 2 ובכך לשמור על . Q = 1 כאשר , Q = 0 רמת המתח בבסיסו של T נמוכה , והוא נמצא 2 בקיטעון . במצב זה , הקולט של T נמצא ב , ' 1 ' - גורם למתח גבוה בבסיס של , T ומכניס את 1 2 T לרוויה . במצב של רוויה , מתח הקולט של T נמוך ומבטיח שמירה על . Q = 0 1 1 כדי לכתוב נתון למעגל דו-יציב זה , דרושים רכיבים נוספים שאינם מופיעים באיור . 2 . 38 לאחר שמבוצעת פעולת הכתיבה , המעגל ישמור , כלומר יזכור את המצב שנקבע בו , גם לאחר שהנתון יוסר ממבואו . יכולת זו של שמירת הרמה הלוגית , מאפשרת לאחסן סיבית אחת של נתונים במעגל דו-יציב . כאשר תא בסיסי כזה משולב במערך של תאי זיכרון , נוספים לו עוד רכיבים לצורך קריאת הנתון ולצורך בחירת התא במערך הזיכרון . מימוש של תא כזה במערך זיכרון דורש באופן מעשי ארבעה עד שישה טרנזיסטורים . תא הזיכרון הסטטי יאבד את תוכנו בעת ניתוק המתח . V לכן הSRAM- הוא זיכרון CC נדיף . עם החיבור מחדש של מקור המתח , יכיל התא ערך אקראי . איור 2 . 39 מציג חלק מדף הנתונים של רכיב הRAM- הסטטי , 62256 המכיל 32 K בתים . האיור מפרט את תצורת ההדקים ושמותיהם , ואת תרשים המלבנים של הרכיב . לרכיב 62256 יש 15 קווי כתובות המסומנים A -A לצורך פנייה ל 2 = 32 K- בתים שהוא מכיל . 14 0 I I קווי הנתונים הדו-כיווניים מסומנים ברכיב זה OO . ? 80 ל62256- יש הדק אפשור , CS החייב להיות ב ' 0 ' - כדי שהרכיב לא יימצא במצב השלישי . לצורך קריאת נתון מהרכיב , צריך המבוא OE ( אפשור המוצא ) שלו להיות פעיל , ובאופן דומה , לצורך כתיבה ב , 62256- צריך המבוא WE ( אפשור הכתיבה ) להיות פעיל . אם שני המבואות OE ו- WE פעילים בו-זמנית , הרכיב מתעלם מ- OE ומגיב רק לאות . WE
|
|