|
|
עמוד:305
2 PROM – E PROM הנמחק חשמלית וזיכרון ההבזק בגלל החסרונות שתוארו בסעיף הקודם , פותחה משפחת רכיבי , E PROM שבה נעסוק בסעיף זה . רכיבי ה , EEPROM ) E PROM- או E בריבוע ( PROM Electrically Erasable – PROM נועדו להתגבר על החסרונות של הEPROM- שנמנו לעיל : אפשר לתכנן ולמחוק רכיב זה בלי להוציאו מן המעגל שבו הוא נמצא ; אפשר למחוק את תוכן כל הרכיב או רק חלקים ממנו ( בית או יותר , ( לפי בחירה . שימו לב , רכיבים אלה נקראים רכיבים לקריאה בלבד , אבל שם זה אינו מדויק . למעשה אלה רכיבי זיכרון לא-נדיפים עם כתיבה חשמלית . דוגמה ל E PROM- הוא ה . 2817 A- חלק מגיליון הנתונים של רכיב זה מוצג באיור . 2 . 37 בדומה ל , 2764 EPROM- שראינו בסעיף הקודם , גם לרכיב זה הדקים נפרדים לאפשור הרכיב CE () ולאפשור הוצאת נתונים ממנו . OE () אך בניגוד ל , 2764- יש ל 2817 A- הדק לאפשור כתיבת נתונים לרכיב . WE () תהליך הקריאה מה E PROM- דומה לתהליך הקריאה מה ; EPROM- גם זמני הגישה לקריאה מה E PROM- דומים לאלה של הEPROM- וגם לאלה של זיכרון . RAM אולם זמני הכתיבה ב E PROM- איטיים ( בסביבות ( 2 ms בהשוואה לזמן הכתיבה של . RAM לכן , בביצוע כתיבה ל , E PROM- יש צורך במעגלים שיבטיחו כי היע " מ תמתין , במחזורי המתנה , עד לסיום הכתיבה . לרוע המזל , כל מחזור מחיקה וכתיבה מפחית מיכולת התכנות מחדש של ה , E PROM- עד שלבסוף אי אפשר לתכנת אותו יותר . אורך חיים זה נע בין 10 , 000 ל 1 , 000 , 000- מחזורים של מחיקה וכתיבה . עובדה זו אינה מאפשרת שימוש ברכיב זה כRAM- לכל דבר , אלא כROM- עם תוכן שאינו משתנה לעתים קרובות . בהיעדר מקור מתח , נתונים הנכתבים ל- E PROM יישמרו בו עשר שנים לפחות . שימו לב , כיום נמצאים בשוק רכיבי זיכרון המכונים EPROM ולעתים גם . OTP-EPROM תכונותיהם החשמליות זהות לאלה של הEPROM- ( ומכאן שמם , ( אך הם אינם ניתנים למחיקה , כלומר אפשר לתכנן אותם פעם אחת בלבד . צירוף האותיות ( One Time Programmable ) OTP מציין תכונה זו .
|
|