RAM דינאמי – DRAM

RAM דינאמי DRAM – אחת המטרות של מתכנני רכיבי זיכרון היא לצופף תאי זיכרון רבים ככל האפשר ברכיב אחד . כדי להשיג מטרה זו רצוי לתכנן את התא הבסיסי כך שמספר הטרנזיסטורים הכלולים בו יהיה מזערי . ראינו כי למימוש תא של RAM סטטי דרושים ארבעה עד שישה טרנזיסטורים . מספר זה גבוה ביחס לסוגי הזיכרונות האחרים שהכרנו עד כה . בסעיף זה נדון בזיכרון מסוג RAM דינאמי , המבוסס על תאי זיכרון פשוטים יותר , המכילים רק טרנזיסטור אחד וקבל . מבנה עקרוני של תא כזה מוצג באיור . 2 . 41 כמות המטענים על הקבל C קובעת את הרמה הלוגית המאוחסנת בתא . מעל כמות מסוימת של מטענים , תכולת התא היא , ' 1 ' ומתחת לאותה כמות מטענים – תכולת התא היא . ' 0 ' טעינת הקבל נעשית על-ידי העלאת רמת המתח בקו השורה , לצורך הכנסת הטרנזיסטור Q להולכה , והעלאת רמת המתח בקו העמודה , לצורך טעינת הקבל דרך הטרנזיסטור . פריקת הקבל נעשית על-ידי העלאת רמת המתח בקו השורה והורדת רמת המתח בקו העמודה – כך מתפרק הקבל דרך טרנזיסטור ומתרוקן ממטענו . החיסרון הגדול של תא זיכרון זה הוא בכך שהמטענים האגורים בקבל אינם נשמרים בו לאורך זמן אלא " דולפים " ממנו , אפילו...  אל הספר