|
|
עמוד:312
מחודשת זו של מטענים נקראת רענון . ( refresh ) שמו של הזיכרון הדינאמי נובע מהצורך ברענון . בתהליך הרענון מתבצעת , עקרונית , בדיקה של רמת המתח בתא הזיכרון , הגברת המתח וטעינת הקבל מחדש . רכיב RAM דינאמי מכיל מעגלים שנועדו לבצע רענון שורה שלמה של תאים בבת אחת . הדקי הכתובת של רכיבי DRAM פועלים בריבוב זמנים : הכתובת מועברת אליהם בשני שלבים , כשהיא מפוצלת לכתובת שורה ( החלק התחתון של הכתובת ) ולכתובת עמודה ( החלק העליון של הכתובת . ( משום כך , מספר הדקי הכתובת ברכיבים אלה הוא חצי ממספר הדקי הכתובת של הSRAM- וה . ROM- תכונה זו , בנוסף למספרם הקטן של הרכיבים בתא הDRAM- הבסיסי , מאפשרת לצופף מספר גדול של סיביות במעגל משולב קטן יחסית . כתוצאה מכך , אפשר לבנות מערך זיכרון DRAM בעל נפח גדול על שטח קטן של מעגל מודפס . נוסף להדקי הבקרה OE , CS ו- , WE הקיימים גם ב , SRAM- יש לDRAM- שני הדקים נוספים RAS ( מדרבן כתובת שורה ( Row Address Strobe – ו- CAS ( מדרבן כתובת עמודה . ( Column Address Strobe – אותות אלה מסמנים איזה חלק של הכתובת מועבר להדקי הכתובת של הרכיב ומשמשים לצורך דרבון הנועלים הפנימיים שב . DRAM- הבדל נוסף בין רכיבי DRAM לרכיבי SRAM ( ו ( ROM- הוא בארגונם הפנימי . הארגון הפנימי המקובל בDRAM- הוא של רכיבים בעלי רוחב מילה של סיבית אחת או ארבע סיביות . נוסף לכך , ברכיבי DRAM רבים אפשר למצוא הדקים נפרדים לכתיבת נתון ברכיב ( הדק כזה מסומן באות ( D ולקריאת נתון מהרכיב ( הדק כזה מסומן באות . ( Q הפרדה כזו מאפשרת לרכיב לעבור במהירות ממצב של קריאה למצב של כתיבה , ולהיפך . הDRAM- צפוף יותר מה , SRAM- ובממוצע הוא גם צורך הרבה פחות הספק מה , SRAM- למרות שברגעים מסוימים עשויה צריכת ההספק שלו להיות גדולה מהממוצע באופן משמעותי . מהירות העבודה של זיכרון DRAM קטנה בהשוואה לזו של זיכרון SRAM הבנוי
|
|