2 PROM – E PROM הנמחק חשמלית וזיכרון ההבזק בגלל החסרונות שתוארו בסעיף הקודם , פותחה משפחת רכיבי , E PROM שבה נעסוק בסעיף זה . רכיבי ה , EEPROM ) E PROM- או E בריבוע ( PROM Electrically Erasable – PROM נועדו להתגבר על החסרונות של הEPROM- שנמנו לעיל : אפשר לתכנן ולמחוק רכיב זה בלי להוציאו מן המעגל שבו הוא נמצא ; אפשר למחוק את תוכן כל הרכיב או רק חלקים ממנו ( בית או יותר , ( לפי בחירה . שימו לב , רכיבים אלה נקראים רכיבים לקריאה בלבד , אבל שם זה אינו מדויק . למעשה אלה רכיבי זיכרון לא-נדיפים עם כתיבה חשמלית . דוגמה ל E PROM- הוא ה . 2817 A- חלק מגיליון הנתונים של רכיב זה מוצג באיור . 2 . 37 בדומה ל , 2764 EPROM- שראינו בסעיף הקודם , גם לרכיב זה הדקים נפרדים לאפשור הרכיב CE () ולאפשור הוצאת נתונים ממנו . OE () אך בניגוד ל , 2764- יש ל 2817 A- הדק לאפשור כתיבת נתונים לרכיב . WE () תהליך הקריאה מה E PROM- דומה לתהליך הקריאה מה ; EPROM- גם זמני הגישה לקריאה מה E PROM- דומים לאלה של הEPROM- וגם לאלה של זיכרון . RAM אולם זמני הכתיבה ב E PROM- איטיים ( בסביבות ( 2 ms בהשוואה לזמן הכתיבה של . RAM ל...
אל הספר