|
|
עמוד:124
( LDR resistor Krrrr (} n 9 bn 9 q 9 a : trigiJ 1 o : teia 91- fla 3 . 3 . 3 LDR-n הוא רכיב המתאפיין בכך שהתנגדותו משתנה בהתאם לעוצמת הארה לה הוא נחשף . תלות התנגדות החיישן בעוצמת ההארה היא תלות הפוכה . כלומר , ככל שעוצמת הארה גדולה יותר , כך קטנה התנגדותו . מבנה החיישן מתואר באיור . 3 . 42 האור חודר דרך הציפוי השקוף המותקן בחלקו העליון של החיישן , ופוגע בחומר הפוטו מוליך ( Photoconductive ) המותקן בו ( בצורה מפותלת . ( התנגדות LDR-n אינה משתנה ליניארית כתלות בשינוי של עוצמת ההארה . לכן LDR-n מתאים לשמש כחיישן ליניארי בתחומי הארה מצומצמים , ומשמש , בעיקר , כחיישן במעגלים שנדרשת בהם הבחנה בין רמות הארה שונות , כמו חיישן דו-מצבי . הרגישות המרבית של LDR לאור נראה היא באורך גל של 550 nm ( צבע ירוק . ( לחיישן זמן תגובה ארוך יחסית ( 100 ms ) לשינויים בעוצמת הארה . את התנגדות LDR-n אפשר למדוד באמצעות מד התנגדות , כאשר משנים את תנאי התאורה מחשכה מוחלטת עד לעוצמת הארה מרבית . כאשר משתמשים LDR-3 כחיישן , מעוניימס לקבל במוצא המתמר שהחיישן מחובר אליו שינוי מתח , כתוצאה משינויים בעוצמת הארה . LDR : 0 OD ^^^ ^^^^ 3 . 42 7 / W 1 vy"n
|
|