עמוד:394

קיימים הבדלים קטנים יחסית בין המהדרים של בקרים שונים ( למשל , קיים הבדל מסוים בין מהדר שפת C של בקר Intel לבין מהדר שפת C של בקר מוטורולה . ( לעומת זאת , כל סוג של בקר דורש ממשק צריבה שונה . ממשק צריבה זה כולל , נוסף לכבל , גם תוכנה ייעודית המותקנת במחשב המארח . טכניקת הצריבה של התוכנה תלויה בסוג הזיכרון הלא נדיף שבבקר . בזיכרונות הROM- הראשוניים שפותחו בבקרים , תחולת הזיכרון נמחקה באמצעות חשיפת תאי הזיכרון לקרינה אולטרה- סגולה . ( UV ) לאחר מכן , כתיבת התכנית לתאים באמצעות סדרת דפקים חשמליים שיצרה תוכנת הממשק במחשב המארח ( זיכרון זה ידוע גם בשם זיכרון קריאה בר-תכנות . ( Erasable Programmable Read Only Memory – EPROM – בשנים האחרונות , מרבית זיכרונות הROM- בבקרים שייכים לקבוצת זיכרונות ה EEPROM – Electrically Erasable ) ( Programmable Read Only Memory EEPROM- או לקבוצת זיכרונות ההבזק . ( Flash Memory ) בשני סוגי זיכרונות אלו מחיקת תוכן תאי הזיכרון וצריבת התכנית נעשות באמצעות סדרות של דפקים חשמליים במתחים מתאימים הנוצרים על-ידי ממשק התוכנה במחשב המארח . ההבדל בין זיכרון ההבזק לזיכרון הEEPROM- הוא בשיטת המחיקה של התאים . בעוד שהמחיקה של תוכן תאי הזיכרון בEEPROM- נעשית ביית ( byte ) אחרי ביית , הרי שבזיכרון ההבזק הפעולות נעשות בו-זמנית לקבוצות של בתים ( בלוקים ) בזיכרון הבקר . המבנה הפיזי של זכרונות בני-תכנות EEPROM ) והבזק ) מבוסס על מערך של תאי זיכרון העשויים מטרנזיסטורים הידועים בשם " טרנזיסטורי תוצא- שדה עם תחמוצת מתכתית " או . ( MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) MOSFET לטרנזיסטור MOSFET יש מבנה פיזי שונה מהטרנזיסטור הדו-נושאי ( או ה ( Transistor Bipolar Junction – BJT- שאותו הכרתם בלימודי האלקטרוניקה התקבילית . לטרנזיסטורי הMOSFET- יש חשיבות עצומה . הם משמשים כיום כ " אבני הבניין " העיקריות בייצור המעגלים המוכללים של מרבית השבבים ( chips ) המסחריים . מעגל מוכלל כזה בנוי על-פיסה של צורן ( סליקון ) שגודלה נע בין מספר מילימטרים מרובעים , עד למספר עשרות מילימטרים מרובעים והיא כוללת מיליונים ( וכיום אף מאות מיליונים ) של טרנזיסטורים מסוגי . MOSFET

מטח : המרכז לטכנולוגיה חינוכית


לצפייה מיטבית ורציפה בכותר