|
|
עמוד:69
האלקטרונים שעברו לתוך הבסיס ממשיכים בדרכם לעבר הצומת קולט-בסיס ( ובקיצור צומת הקולט , ( אשר ממוקדם אחורנית . בהגיעם לצומת זה הם נסחפים לתוך צד n ( הקולט , ( אשר מחובר לפוטנציאל חיובי . במילים אחרות , חלק זה של זרם האלקטרונים נקלט בקולט , ומהווה את רובו המכריע של זרם הקולט . i דבר זה מתבטא באיור 4 . 5 בראש-החץ השמן החודר לקולט . החלק היחסי של זרם הפולט שמצליח לעבור את הבסיס " בשלום , " כלומר בלי להיות מנוטרל על-ידי מטענים חיוביים , תלוי ברוחב הבסיס ובכמות המטענים החיוביים שבו . חלק יחסי זה מסומל באות , ? וערכו הוא בין אפס לאחד . ככל שהבסיס צר יותר , ודל במטענים חיוביים , חלק גדול יותר של האלקטרונים מצליחים להגיע מן הפולט לקולט , ולכן ? קרוב יותר לאחד . כפי שנראה בהמשך , כדי לקבל הגברה דרוש ? קרוב ככל האפשר לאחד . באופן מעשי , רוחבו של אזור הבסיס הוא כמיקרון אחד ( אלפית המילימטר . ( כמו-כן , כפי שכבר ציינו , ריכוז המטענים החופשיים החיוביים בבסיס נמוכה בהרבה מזו שבקולט . לכן בטרנזיסטורים מעשיים ניתן לקבל ללא קושי מיוחד . ? = 0 . 99 בטרנזיסטורים בעלי תכונות טובות במיוחד מקבלים עד . ? = 0 . 999 העובדה שלמעלה מ 99 % - של האלקטרונים שנפלטו מן הפולט מגיעים לקולט מומחשת באיור , 4 . 5 באמצעות הח ִ צים המייצגים את הזרמים . בהתאם לכך , אם זרם הפולט הוא , i הרי זרם הקולט יהיה , ? i ושארית הזרם , ( 1 ? ?) i חייבת לזרום בהדק הבסיס . נוכל אפוא לרשום את הקשר בין זרם הפולט לזרם הבסיס : ( 4-1 ) i B = ( 1 ? ?) i E מאידך גיסא , קיים גם הקשר : ( 4-2 ) i C = ? i E מתוך משוואות ( 4-1 ) ו ( 4-2 ) - נוכל לרשום : ( 4-3 ) = ? i B = ?? ? ? ? ii CB
|
|